延安步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器：步進(jìn)電機(jī)PWM和衰減模式

大部分步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC都借助步進(jìn)電機(jī)繞組的電感器特點(diǎn)來(lái)完成PWM電流調(diào)整。根據(jù)對(duì)每一個(gè)繞組應(yīng)用輸出功率MOSFET的H橋布局，在PWM周期時(shí)間剛開(kāi)始時(shí)向繞組釋放電源電壓，進(jìn)而使電流根據(jù)繞組的電感器堆積。一旦電流做到期待的水準(zhǔn)，H橋便會(huì)更改情況以翻轉(zhuǎn)電流的累積。在固定不動(dòng)的時(shí)間范圍后，新的PWM周期時(shí)間剛開(kāi)始，H橋再度驅(qū)動(dòng)器電流根據(jù)繞組。
　　反復(fù)此全過(guò)程，因而繞組電流會(huì)伴隨著狀態(tài)機(jī)和DAC設(shè)定的峰值電流而升高和降低，該峰值電流為每一個(gè)段設(shè)定了需要的電流。當(dāng)狀態(tài)機(jī)前行到下一個(gè)段時(shí)，調(diào)整后的峰值電流會(huì)相對(duì)地延安步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器轉(zhuǎn)變。
　　做到需要的峰值電流后，H橋能夠 根據(jù)下列二種方法之一來(lái)減少繞組電流：
　　假如繞組短路故障(根據(jù)另外開(kāi)啟低側(cè)或高側(cè)MOSFET)，電流將遲緩衰減。
　　假如H橋反方向或容許電流根據(jù)MOSFET體二極管再次商品流通，電流將快速衰減。
　　這兩個(gè)選擇項(xiàng)稱之為慢速度衰減和迅速衰減(見(jiàn)圖2)。
　　

　　圖2：H橋情況
　　因?yàn)殡姍C(jī)繞組是一個(gè)電感，因而電流轉(zhuǎn)變的速度與電流的轉(zhuǎn)變正相關(guān)。